鹽城高新區(qū)搭臺(tái)引“芯”聚力！第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)在鹽都召開
來源： 紫牛新聞
2025-10-25 18:56:00
揚(yáng)子晚報(bào)網(wǎng)訊（通訊員 仇玉存 記者 陳燃）10月25日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)在鹽城高新區(qū)召開。此次大會(huì)以“智賦新動(dòng)能 共建‘芯’生態(tài)”為主題，邀請(qǐng)行業(yè)領(lǐng)域的學(xué)術(shù)專家以及一線廠商、技術(shù)大咖齊聚一堂，共話產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展趨勢(shì)，探討產(chǎn)業(yè)生態(tài)、支撐技術(shù)、終端應(yīng)用等前沿話題。
北京航空航天大學(xué)空間與環(huán)境學(xué)院院長(zhǎng)、教授曹晉濱，福州大學(xué)教授郭太良，中國(guó)科學(xué)院重大科技任務(wù)局綜合業(yè)務(wù)處處長(zhǎng)姜言彬，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所黨委書記馮仁國(guó)等出席活動(dòng)。
鹽城市副市長(zhǎng)祁從峰出席活動(dòng)并致辭提到，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是鹽城市重點(diǎn)培育的成長(zhǎng)型未來產(chǎn)業(yè)，全市現(xiàn)有富樂華、康佳芯云等一批半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)企業(yè)，功率半導(dǎo)體基板材料、小間距LED封裝等領(lǐng)域全球領(lǐng)先。下一步，鹽城將充分發(fā)揮在新能源、新能源汽車、電子信息等領(lǐng)域的基礎(chǔ)優(yōu)勢(shì)和豐富的應(yīng)用場(chǎng)景，加快布局以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈，持續(xù)提升封裝測(cè)試和功率模塊制造水平，為人工智能賦能新型工業(yè)化發(fā)展提供鹽城答卷。
江蘇省工業(yè)和信息化廳二級(jí)巡視員余雷在致辭中表述，希望鹽城充分發(fā)揮自身優(yōu)勢(shì)，堅(jiān)持以應(yīng)用需求為牽引，進(jìn)一步加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，推進(jìn)強(qiáng)鏈補(bǔ)鏈延鏈，努力打造具有區(qū)域特色的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新高地。江蘇省工信廳將在關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)、創(chuàng)新載體建設(shè)、優(yōu)質(zhì)企業(yè)培育、重大項(xiàng)目建設(shè)等方面加大工作力度，持續(xù)推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展，加快塑造高質(zhì)量發(fā)展新動(dòng)能新優(yōu)勢(shì)。
中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所黨委書記馮仁國(guó)表示，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所愿與鹽城及各方伙伴進(jìn)一步深化合作，共同聚焦關(guān)鍵核心技術(shù)突破，推動(dòng)創(chuàng)新要素高效集聚，加速科技成果向現(xiàn)實(shí)生產(chǎn)力轉(zhuǎn)化，構(gòu)建更具活力的產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新共同體。
會(huì)上，鹽城高新區(qū)管委會(huì)主任高翔作產(chǎn)業(yè)招商推介，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長(zhǎng)楊富華作鹽城半導(dǎo)體集成技術(shù)研究院公共平臺(tái)推介。福州大學(xué)教授郭太良、中國(guó)電科院電力電子所副總工程師楊霏、江蘇索力德普半導(dǎo)體科技有限公司董事長(zhǎng)屈志軍、華商光電科技產(chǎn)業(yè)研究院院長(zhǎng)陳麗雅緊扣大會(huì)主題，從技術(shù)前沿到趨勢(shì)研判、再到實(shí)戰(zhàn)心得作了精彩的演講，讓參會(huì)者收獲頗豐。
活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng)還為第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽獲獎(jiǎng)項(xiàng)目頒獎(jiǎng)。發(fā)布了《氮化鋁拋光片位錯(cuò)密度的測(cè)試腐蝕坑法》《光治療用柔性LED光源拉伸彎曲可靠性試驗(yàn)方法》《高頻開關(guān)應(yīng)用下GaN功率器件開關(guān)運(yùn)行狀態(tài)可靠性試驗(yàn)方法》《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)，這些標(biāo)準(zhǔn)將為技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)協(xié)同注入強(qiáng)勁動(dòng)能，加速先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的規(guī)?；瘧?yīng)用。
活動(dòng)期間，與會(huì)嘉賓還參觀了聯(lián)超光電、鹽城半導(dǎo)體集成技術(shù)研究院，圍繞功率電子應(yīng)用領(lǐng)域的突圍、光電應(yīng)用領(lǐng)域的升級(jí)，開展產(chǎn)業(yè)研討。